题目：新型二维硫族半导体：设计、合成以及器件应用

报告人：何军  国家纳米科学中心

地点： 教十二-201

时间：10月27日，周五，15:00—16:00

摘要：

当材料的特征尺寸降低到纳米级别时，半导体就会展现出一些常规尺寸下所不具有的特性，例如超高的比表面积、量子限域效应以及强的光-物质相互作用。在众多的低维结构中，由于二维结构与传统硅基微电子加工技术以及柔性基底具有非常好的兼容性，使得程二维结构的半导体材料在电子和光电子方面的革新浪潮中处于领导地位。因此，二维半导体的研究具有重要意义。到目前为止，层状和非层状材料都可以以二维的形态制备出来，其中，对于二维层状材料，尤其是过渡金属硫族化物的研究已经取得了很大的进展。然而，这方面的研究还仍处于初始阶段，很多重要问题还亟待解决，特别是大面积制备以及器件应用方面，更系统深入的研究还有待进行。另外值得注意的是，由于大多数硫族半导体都具有非层状的晶体结构，因此实现非层状半导体的二维结构生长，并将其二维结构与硅基或柔性基底结合，应用在高性能的电子以及光电子器件方面将具有重要的意义。

此外，由于在高速拓扑逻辑器件方面具有潜在的应用价值，近年发现的拓扑晶态绝缘体吸引了广泛的关注。由于拓扑态是一种表面态，因此若将拓扑晶态绝缘体制备成低维特别是二维结构时，其拓扑状态将会大大增强，并进一步便于观察研究。然而，现有的拓扑晶态绝缘体都具有各项同性的晶体结构，因此其二维结构的制备并非易事。基于以上的问题和挑战，我们的研究主要集中于低维金属硫族化物半导体的设计、合成以及应用方面。在本报告中，我将集中讨论以下两个方面：

1. 二维层状和非层状金属硫族化合物半导体的可控制备、性质以及电子和光电子方面的应用。

2. 拓扑晶态绝缘体的合成以及表面输运性质。

个人简介：

何军，博士，国家纳米科学中心研究员，博士生导师，中国科学院大学岗位教授，2016年国家杰出青年基金获得者，入选科技部中青年科技创新领军人才。 2003年-2007年期间先后在荷兰埃因霍温科技大学（TU/e）和美国加州大学圣塔芭芭拉分校 (UCSB)做博士后，2007年-2010年到美国加州大学洛杉矶分校 (UCLA)做研究科学家。2010年11月聘为国家纳米科学中心“百人计划”研究员。主要研究兴趣包括：低维半导体材料的可控生长，物理性质研究；低维半导体纳米材料电子、光电器件研究；多元复合纳米材料合成及其在能源领域的应用等。主持和参与多项国家级研究项目，如国家杰出青年基金，科技部重大科学研究计划，国家重点基础研究发展计划（973计划）、中科院战略性先导科技专项A类项目等。

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