感应耦合等离子刻蚀机
等离子体刻蚀设备，具有高深宽比刻蚀能力，可进行硅、氧化物、氮化物等材料的各向异性刻蚀，广泛应用于微纳加工领域。
技术参数：ICP功率：最大1100W，偏置射频功率：最大600W，基片尺寸：6英寸，刻蚀均匀性：优于+/-3%，等离子体密度：1E12cm-3，工艺气体：CHF3 CF4 SF6 C4F8 Ar O2，基板温度：-20℃~200℃
操作规范：
感应耦合等离子刻蚀机操作规范.pdf
发布时间：2025-04-03 来源：物理学院 编辑： 浏览次数：12次
感应耦合等离子刻蚀机
等离子体刻蚀设备，具有高深宽比刻蚀能力，可进行硅、氧化物、氮化物等材料的各向异性刻蚀，广泛应用于微纳加工领域。
技术参数：ICP功率：最大1100W，偏置射频功率：最大600W，基片尺寸：6英寸，刻蚀均匀性：优于+/-3%，等离子体密度：1E12cm-3，工艺气体：CHF3 CF4 SF6 C4F8 Ar O2，基板温度：-20℃~200℃
操作规范：感应耦合等离子刻蚀机操作规范.pdf
